职位描述
该职位还未进行加V认证,请仔细了解后再进行投递!
岗位职责:1、负责氮化镓HEMT芯片设计及制程优化。
2、负责氮化镓HEMT芯片制程的进度跟踪。
3、负责氮化镓HEMT相关项目的申报。
4、负责相关核心技术的挖掘与专利布局。
5、完成主管安排的其它工作任务。
任职要求:
1、硕士及以上学历优先,本科学历优秀者可考虑。
2、有HEMT芯片研发、工艺及PIE经验者或HEMT大厂工作经验者优先。
3、熟悉氮化镓HEMT芯片的结构、工艺流程, 熟悉产品性能参数。
4、至少熟悉光刻、蒸镀、清洗、刻蚀等关键工序站点中的1至2个工序站点。
5、具备良好的执行力和抗压能力。
2、负责氮化镓HEMT芯片制程的进度跟踪。
3、负责氮化镓HEMT相关项目的申报。
4、负责相关核心技术的挖掘与专利布局。
5、完成主管安排的其它工作任务。
任职要求:
1、硕士及以上学历优先,本科学历优秀者可考虑。
2、有HEMT芯片研发、工艺及PIE经验者或HEMT大厂工作经验者优先。
3、熟悉氮化镓HEMT芯片的结构、工艺流程, 熟悉产品性能参数。
4、至少熟悉光刻、蒸镀、清洗、刻蚀等关键工序站点中的1至2个工序站点。
5、具备良好的执行力和抗压能力。
工作地点
地址:南通崇川区南通市经济技术开发区东方大道499号
![](http://img.jrzp.com/jrzpfile/cityrcw/SearchJob/images/jg.png)
![](https://img.jrzp.com/images_server/comm/nan.png)
职位发布者
HR
南通同方半导体有限公司
![](http://img.jrzp.com/jrzpfile/cityrcw/images/sfrz_yrz.png)
-
计算机硬件·网络设备
-
200-499人
-
股份制企业
-
经济技术开发区东方大道499号